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干貨！半導(dǎo)體濺射工藝有毒有害氣體檢測方案
發(fā)布時(shí)間：2024-12-11
半導(dǎo)體濺射工藝使用的電子氣體中有一些是危險(xiǎn)氣體
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，濺射工藝是一項(xiàng)至關(guān)重要的技術(shù)，它對半導(dǎo)體器件的性能和質(zhì)量有著深遠(yuǎn)影響。
半導(dǎo)體濺射工藝被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的加工和制備：
半導(dǎo)體器件制造：半導(dǎo)體器件中的金屬線條、電容、電阻等部分普遍采用半導(dǎo)體濺射工藝進(jìn)行制造；
太陽能電池制造：在太陽能電池制造過程中，半導(dǎo)體濺射工藝可以用于制備電池表面的金屬電極以及其它稀材料的薄膜。這些薄膜可以提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率；
磁性記錄媒介：在磁性記錄媒介制造過程中，半導(dǎo)體濺射工藝可以制備出磁性材料的薄膜，以便記錄信息；
其它領(lǐng)域：半導(dǎo)體濺射工藝還被廣泛應(yīng)用于表面涂料、光學(xué)薄膜、化學(xué)傳感器等領(lǐng)域；
半導(dǎo)體濺射工藝
▲? 半導(dǎo)體濺射工藝（Sputtering）是一種常用的薄膜制備技術(shù)，也稱為物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition，PVD）。該技術(shù)通過在真空環(huán)境下，將高能粒子射向靶材，使靶材表面的原子或分子得到解離和釋放，然后在襯底表面形成一層物質(zhì)膜，從而實(shí)現(xiàn)對襯底表面的改性和薄膜制備。?
半導(dǎo)體濺射工藝流程
· 準(zhǔn)備靶材和襯底：所選靶材和襯底要求質(zhì)量純度高、表面平整度好。
· 進(jìn)行真空抽氣：半導(dǎo)體濺射工藝需要在真空環(huán)境下進(jìn)行。進(jìn)行真空抽氣可以將系統(tǒng)內(nèi)空氣和雜質(zhì)排除，保證工藝質(zhì)量。
· 進(jìn)行氣體等離子體放電：將氣體注入反應(yīng)室，產(chǎn)生等離子體放電，使前方的氣體活化。
· 開啟濺射源：通過電極和磁場等手段，將高能粒子加速，并使其射向靶材表面，使靶材表面的原子或分子得到解離和釋放。
· 沉積：通過濺射作用，將釋放的原子或分子沉積到襯底表面上。
· 改性：通過改變?yōu)R射源、氣體組分和襯底電壓等工藝參數(shù)來控制膜厚和膜質(zhì)量，實(shí)現(xiàn)對襯底表面的改性。
濺射氣體有工作氣體及反應(yīng)氣體兩大類：
1工作氣體
在真空室中，當(dāng)壓力為0.1~1Pa時(shí)，受強(qiáng)電場的作用而電離為正離子和電子。由于異性相吸，正離子受陰極負(fù)高壓的吸引以巨大的能量轟擊靶材而產(chǎn)生濺射。一般采用惰性氣體，工業(yè)生產(chǎn)通常采用氬作為工作氣體。
2反應(yīng)氣體
為了產(chǎn)生氧化物、氮化物、硫化物和碳化物膜層，在進(jìn)行濺射時(shí)，濺射室分別加入氧氣、氮?dú)狻⒘蚧瘹洹⒓淄榈葰怏w，純金屬靶材濺射出來的原子與這些氣體進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，生成氧化物或氮化物、硫化物、碳化物，然后沉積在基片表面而形成氧化物、氮化物、硫化物或碳化物膜層。這些氣體稱為反應(yīng)氣體。
在半導(dǎo)體濺射過程中，使用的電子氣體中有一些是危險(xiǎn)氣體。例如，氟氣是一種常用的氣體，但它具有劇毒性和腐蝕性，對人體和環(huán)境都具有危害。氯氣也是一種有毒氣體，長時(shí)間接觸或高濃度接觸會(huì)對健康造成嚴(yán)重影響。此外，二氧化氮和氨氣等氣體也具有一定的危險(xiǎn)性。
半導(dǎo)體濺射工藝中應(yīng)用氣體的特性
在半導(dǎo)體濺射工藝中，應(yīng)用的氣體存在多種危險(xiǎn)特性，這些危險(xiǎn)氣體的特性需要被嚴(yán)格監(jiān)測和管理，以確保操作人員的安全和工藝的穩(wěn)定性。
?①? ?易燃性??
氫氣（H?）：氫氣是一種常見的用于某些特殊濺射工藝或設(shè)備清洗的氣體。它具有極易燃的特性，其燃燒范圍很寬，在空氣中的體積分?jǐn)?shù)為4.0% - 75.6%時(shí)，遇到火源就會(huì)發(fā)生劇烈燃燒。在半導(dǎo)體制造環(huán)境中，即使是一個(gè)小的靜電火花或者高溫表面，都可能引發(fā)氫氣燃燒，導(dǎo)致火災(zāi)甚至爆炸。例如，當(dāng)氫氣泄漏到一個(gè)封閉的、有潛在火源的空間（如電氣設(shè)備附近）時(shí)，危險(xiǎn)系數(shù)會(huì)急劇上升。
硅烷（SiH?）：硅烷常用于化學(xué)氣相沉積（CVD）工藝，該工藝有時(shí)與濺射工藝協(xié)同用于半導(dǎo)體制造。硅烷也是高度易燃?xì)怏w，它在空氣中能自燃，因?yàn)樗c空氣中的氧氣反應(yīng)活性很高。其自燃溫度相對較低，大約在420℃左右，一旦泄漏，很容易被周圍環(huán)境中的熱源（如設(shè)備運(yùn)行產(chǎn)生的熱量）點(diǎn)燃，引發(fā)火災(zāi)。
?②? ?易爆性? ?
乙炔（C?H?）：在一些特殊的半導(dǎo)體表面處理工藝中可能會(huì)用到乙炔。乙炔屬于易燃易爆氣體，它的爆炸極限范圍比較寬，在空氣中體積分?jǐn)?shù)為2.5% - 82%時(shí)都可能發(fā)生爆炸。在含有乙炔的系統(tǒng)中，如果氣體壓力過高、溫度異?；蛘哂龅綇?qiáng)烈的震動(dòng)等情況，都可能引發(fā)爆炸。特別是在半導(dǎo)體制造車間這種存在大量電氣設(shè)備和精密儀器的場所，乙炔爆炸可能會(huì)造成嚴(yán)重的設(shè)備損壞和人員傷亡。
某些混合氣體：例如，當(dāng)氫氣與氧氣按照一定比例混合時(shí)，形成的混合氣體具有極高的爆炸危險(xiǎn)性。這種混合氣體在遇到火源、靜電放電或者能量沖擊時(shí)，會(huì)瞬間發(fā)生劇烈爆炸。在濺射工藝中，如果氣體輸送系統(tǒng)出現(xiàn)故障，導(dǎo)致氣體混合比例失控，就可能形成這種易爆的混合氣體環(huán)境。
?③? ?毒性? ?
砷化氫（AsH?）：在半導(dǎo)體制造中，砷化氫用于一些化合物半導(dǎo)體材料的制備過程。它是一種劇毒氣體，即使吸入少量，也會(huì)對人體造成嚴(yán)重的危害。砷化氫進(jìn)入人體后，會(huì)與紅細(xì)胞中的血紅蛋白結(jié)合，破壞紅細(xì)胞的正常功能，導(dǎo)致溶血現(xiàn)象。長期暴露在低濃度的砷化氫環(huán)境中，也可能會(huì)引起慢性中毒，對人體的肝臟、腎臟等器官造成損害。
磷化氫（PH?）：磷化氫常用于離子注入工藝，它也是一種有毒氣體。磷化氫主要作用于人體的呼吸系統(tǒng)和神經(jīng)系統(tǒng)，吸入高濃度的磷化氫會(huì)引起頭暈、頭痛、惡心、嘔吐等癥狀，嚴(yán)重時(shí)可能導(dǎo)致呼吸困難、昏迷甚至死亡。而且，磷化氫中毒的癥狀可能會(huì)在接觸后的一段時(shí)間內(nèi)逐漸顯現(xiàn)，具有一定的隱蔽性。
?④? ?窒息性??
氮?dú)猓∟?）和氬氣（Ar）：氮?dú)夂蜌鍤馐前雽?dǎo)體濺射工藝中最常用的氣體。雖然它們本身無毒，但在高濃度環(huán)境下，會(huì)取代空氣中的氧氣，導(dǎo)致人體缺氧窒息。例如，在一個(gè)封閉的濺射腔室或者氣體儲(chǔ)存區(qū)域，如果氮?dú)饣驓鍤庑孤┎⒋罅糠e聚，當(dāng)氧氣含量降低到一定程度（一般認(rèn)為氧氣含量低于18%）時(shí)，操作人員進(jìn)入該區(qū)域就可能會(huì)出現(xiàn)頭暈、呼吸困難等窒息癥狀。這在半導(dǎo)體制造車間這種人員可能頻繁進(jìn)出氣體設(shè)備區(qū)域的環(huán)境下，是一個(gè)潛在的重大安全隱患。
為了確保半導(dǎo)體制造過程中的氣體安全，實(shí)施有效的氣體監(jiān)測方案至關(guān)重要。常見的監(jiān)測目標(biāo)氣體包括可燃性氣體（如甲烷、硅烷）和有毒有害氣體（如氯化氫、氟化氫、溴化氫等）?。
理研計(jì)器半導(dǎo)體濺射工藝氣體監(jiān)測方案
理研計(jì)器作為行業(yè)內(nèi)專業(yè)的氣體檢測儀生產(chǎn)制造廠商，一直關(guān)注半導(dǎo)體制造行業(yè)的安全發(fā)展，以“為人們營造安全的工作環(huán)境”為使命，潛心開發(fā)適用于半導(dǎo)體行業(yè)與光伏行業(yè)的氣體傳感器，針對用戶遇到的各種問題，提供合理的解決方案，不斷升級產(chǎn)品功能，優(yōu)化系統(tǒng)。
理研計(jì)器通過先進(jìn)技術(shù)和設(shè)備精準(zhǔn)布局，整合出適合半導(dǎo)體芯片制造行業(yè)的氣體探測解決方案，在各個(gè)階段都可以提供出色保護(hù)